Top 19 インプラ

作成者: ja.wikipedia.org

レビュー 4 ⭐ (35541 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 イオン注入 – Wikipedia イオン注入（イオンちゅうにゅう、英語: ion implantation）は、物質のイオンを固体材料に注入し、固体材料の物性を変化させる 材料科学的手法である。

一致する検索結果: イオン注入が最もよく利用されるのは半導体中へのドーパント注入である。半導体がシリコンの場合、ドーパントとしては普通ボロン、リン、砒素が用いらる。ドーパント原子のボロンは三フッ化ホウ素（BF3）ガス、リンはホスフィン（PH3）ガス、砒素はアルシン（AsH3）ガスが一般的に使われ、数KeVからMeV級のエネルギーで加速する。これらは腐食性や発火性、致死性が高いなど危険なガスである。ドーパントが注入されることにより、半導体中に過剰キャリアとして電子または正孔が生成され、半導体の伝導性を変化させる。打ち込まれたばかりのイオンは半導体原子の結晶に並ばないため不活性であり、結晶格子も格子欠陥が生じるため修…

ソースからの抜粋: …

作成者: iontc.co.jp

レビュー 3 ⭐ (11511 レビュー)

最高の評価: 3 ⭐

最終評価: 1 ⭐

概要: についての投稿 イオン注入とは 株式会社イオンテクノセンター イオン注入とは│イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です …

一致する検索結果:
株式会社イオンテクノセンター
〒573-0128
大阪府枚方市津田山手二丁目8番1号
津田サイエンスヒルズ
平日9:00～17:00
TEL：072-859-6601
FAX：072-859-5770

ソースからの抜粋: …

作成者: terakoyamiho.wordpress.com

レビュー 4 ⭐ (29332 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 インプラント – 寺子屋みほ – WordPress.com イオンインプラでは金属汚染が問題となる場合があります。もしインプラ装置が金属を運んできたらデバイスはたちまち汚染されてしまいます。従ってシリコン面に保護膜を付け …

一致する検索結果: 図5-S/Dインプラ

ソースからの抜粋: …

作成者: www.semilab-j.jp

レビュー 4 ⭐ (36137 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 非破壊インプラ ダメージモニター PMR-3000 | 製品情報 非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。

一致する検索結果: また、PMR-3000は、インプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深度測定を非接触・非破壊で測定します。

ソースからの抜粋: …

作成者: www.semilab-j.jp

レビュー 4 ⭐ (29888 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 イオン注入モニタリング | 半導体検査装置 – 日本セミラボ インプラモニター検査装置です。シート抵抗測定、ドーズ量モニターにより半導体シリコンの抵抗率、汚染、結晶度、ジャンクション深さなどを非接触・非破壊で評価して …

一致する検索結果: イオン注入プロセスとインプラントアニーリングプロセスの組み合わせは、通常、注入層のシート抵抗を測定することでモニタリングされます。シート抵抗は、ドーズ量とエネルギーや、注入された不純物のうちで電気的に活性化されたインプラント量によって変化します。デバイスの性能を最終的に決めるのは、シート抵抗です。このため、シート抵抗の測定は、注入プロセスに関連するあらゆる要素のモニタリングに有効です。

ソースからの抜粋: …

作成者: engineer-education.com

レビュー 4 ⭐ (37374 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 【半導体製造プロセス入門】イオン注入装置とは？仕組み … 半導体をデバイスとして使用するにはドーピングを行う必要があります。 純粋なシリコンに不純物を少量混ぜることによりP型またはN型の半導体を作り、このP …

一致する検索結果:
【図1　ラスタースキャンとハイブリッドスキャン】

ソースからの抜粋: …

作成者: www.shi.co.jp

レビュー 4 ⭐ (37798 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 イオン注入装置 | 住友重機械工業株式会社 特長 · 300ミリだけでなく200ミリのウェハにも対応し、450mmにも展開可能 · HC装置とMC装置を一体化したフレームワーク · エネルギー範囲 最小：0.2keV / 最大：630keV · 高い …

一致する検索結果: 高電流装置と中電流装置を統合する広範なイオン注入を可能にした、これまでにない新しいコンセプトで開発された最先端モデル。

ソースからの抜粋: …

作成者: www.carsensor.net

レビュー 3 ⭐ (1356 レビュー)

最高の評価: 3 ⭐

最終評価: 1 ⭐

概要: についての投稿 「インプラ」の中古車 | 中古車なら【カーセンサーnet】 該当箇所：Audi認定中古車 Sラインプラスパッケージベーシックパッケージ アシスタンスパッケージ スマートインターフェイス ワイヤレスチャージング Sラインプラ …

一致する検索結果:
該当箇所：日産プリンス埼玉販売 スカイラインプラザ上尾中央　　　　リンスサイタマハンバイ スカイラインプラザアゲオチュウオウ

ソースからの抜粋: …

作成者: patents.google.com

レビュー 4 ⭐ (34107 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 JP2009218548A – 高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法 … 【課題】本発明は、半導体製造工程で高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより硬化したレジスト膜を容易に剥離することのできる高ドーズインプラ工程の …

一致する検索結果:
Free format text:
JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

ソースからの抜粋: …

作成者: nissin.jp

レビュー 3 ⭐ (9653 レビュー)

最高の評価: 3 ⭐

最終評価: 1 ⭐

概要: についての投稿 半導体製造用イオン注入装置 | 製品・サービス – 日新電機 イオン注入装置（I/I：Ion Implanter）とは、半導体素子構造の材料となるウェーハに不純物イオン（リン・ボロンなど）を注入し、半導体を形成する装置です。

一致する検索結果: イオン注入装置（I/I：Ion Implanter）とは、半導体素子構造の材料となるウェーハに不純物イオン（リン・ボロンなど）を注入し、半導体を形成する装置です。コンピューターやスマートフォンのCPU・DRAM・フラッシュメモリーをはじめ電化製品等に搭載されるマイコン・インバーターなど、多種多様な半導体製品の製造に不可欠な装置になります。シリコンやガリウム砒素など半導体材料の電気的特性を精密に制御し決める唯一のプロセスであることから、製造工程の中でも極めて重要で、複雑かつ高度な技術が織り込まれています。

ソースからの抜粋: …

作成者: auctions.yahoo.co.jp

レビュー 4 ⭐ (38362 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 インプラの中古品・新品・未使用品一覧 – ヤフオク! インプラ」関連の新品・未使用品・中古品が約3件出品中。ヤフオク!は、常時約5000万点以上の商品数を誇る、誰でもかんたんに売り買いが楽しめるサービスです。

一致する検索結果: ログイン

ソースからの抜粋: …

作成者: purestar20.com

レビュー 3 ⭐ (19350 レビュー)

最高の評価: 3 ⭐

最終評価: 1 ⭐

概要: についての投稿 インプラエックスImpra-X – ピュアスター がインプラエックスの主原料とな るスピキュールです。 海綿拡大.jpg. 拡大するとこのように無数の空洞 があり、この中に植物由来良成分 を浸透させて、直接肌下へと …

一致する検索結果: インプラエックスは、このような容器に入っています。中身は下の様なゲルなのですが、この中に海綿を特殊な方法で精製して作られた「スピキュール」というスピック（ナノ単位の針）が大量に入っているのです。　　　　　　　　　　　

ソースからの抜粋: …

作成者: brass.winds-score.com

レビュー 4 ⭐ (35048 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 Implacato／インプラカート – ウィンズスコア 吹奏楽譜（スコア・パート譜）、作曲：Matt Conaway／マット・コナウェイ、グレード：2.5、演奏時間：3分52秒、出版社：C.L.Barnhouse／バーンハウス 011-4503-00、 …

一致する検索結果: © 2006 Winds Score Inc.

ソースからの抜粋: …

作成者: www.tn-sanso.co.jp

レビュー 4 ⭐ (23397 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 SDS（セイフ・デリバリー・ソース）｜取扱い製品一覧 半導体材料ガス「SDS」（セイフ・デリバリー・ソース）は、優れた安全性とコストパフォーマンスが世界中の半導体メーカーから高い評価を得ている、イオンインプラ装置 …

一致する検索結果: ガス消費時はSDS容器内圧力とイオンインプラ装置内（高真空）の圧力差により、ガスを供給する方式であり、毒性の高いアルシン・ホスフィン・三フッ化ホウ素などの供給において「優れた安全性」「装置の稼働率アップによるコストダウン」を実現します。

ソースからの抜粋: …

作成者: metoree.com

レビュー 4 ⭐ (25441 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 【2022年版】イオン注入装置 メーカー6社一覧 – メトリー イオン注入装置の製造メーカーを一覧にして紹介 (2022年版)。イオン注入装置関連企業の2022年7月注目ランキングは1位:株式会社アルバック、2位:日新電機株式会社、3位: …

一致する検索結果: 参考文献
https://www.jstage.jst.go.jp/article/sfj1989/52/12/52_12_805/_pdf
https://www.jstage.jst.go.jp/article/shikizai1937/62/2/62_77/_pdf/-char/ja
https://iontc.co.jp/ion_injection/

ソースからの抜粋: …

作成者: jp.misumi-ec.com

レビュー 4 ⭐ (39479 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 スナップインプラフット TPシリーズ | タカチ電機工業 – ミスミ タカチ電機工業のスナップインプラフット TPシリーズの選定・通販ページ。ミスミ他、国内外3324メーカー、2070万点以上の商品を1個から配送。豊富なCADデータ提供。

一致する検索結果: スナップインプラフット TPシリーズ

ソースからの抜粋: …

作成者: shi-ion.jp

レビュー 3 ⭐ (7836 レビュー)

最高の評価: 3 ⭐

最終評価: 1 ⭐

概要: についての投稿 SS-UHE(HE) 高エネルギーイオン注入装置｜製品情報 高エネルギーイオン注入は、エンベディッドタイプのデバイスでのトリプルウェル形成に不可欠であるとともに、CCD、CISなどのイメージセンサー量産にも必須な技術となっ …

一致する検索結果: さらに、従来の高エネルギー装置がカバーするエネルギーレンジを凌駕する超高エネルギー領域での注入を可能とし、加えて、従来にない精密さを誇る注入をも実現させた枚葉式超高エネルギー装置「S-UHE」の提供を開始しました。S-UHEは、HE3シリーズで長年の実績があるリナックシステムを搭載し、さらに高電流装置、中電流装置とも共通するコンセプトである、枚葉搬送システムと左右対称なイオンビーム平行化光学系を採用し、高精度なビームの平行度やウェハ全面にわたる高精度の注入均一性を実現しています。

ソースからの抜粋: …

作成者: ejje.weblio.jp

レビュー 4 ⭐ (20894 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 ブロワインプラの英語 – Weblio和英辞書 ブロワインプラを英語で訳すと blower impellerカテゴリ 技術用語 – 約1486万語ある英和辞典・和英辞典。発音・イディオムも分かる英語辞書。

一致する検索結果: ブロワインプラのページの著作権英和・和英辞典情報提供元は参加元一覧にて確認できます。

ソースからの抜粋: …

作成者: www.appliedmaterials.com

レビュー 4 ⭐ (20940 レビュー)

最高の評価: 4 ⭐

最終評価: 2 ⭐

概要: についての投稿 イオン注入 – Applied Materials アプライド マテリアルズのラインナップは、業界で一般的に採用されている4種のインプラントシステムから構成されています。これらのうち、3種類は照準線ビームライン …

一致する検索結果: アプライド マテリアルズのラインナップは、業界で一般的に採用されている４種のインプラントシステムから構成されています。これらのうち、３種類は照準線ビームラインシステムです：高電流（低エネルギーおよび／または高ドーズアプリケーション用）、中電流（低ドーズ用）、および高エネルギー（非常に深いイオン注入用）です。４種類目はプラズマドーピングを利用するもので、極めて高いドーズが必要な場合や、照準線ビームラインシステムが届かない領域でのコンフォーマルドーピングが要求されるアプリケーション (例: 三次元FinFETトランジスタにおける側壁ドーピング) に採用されています。これらのシステムは最先端のビーム…

ソースからの抜粋: …